BASF、IGBT半導体向けPPA開発
ドイツの化学大手BASFは10月14日、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)半導体のハウジングの製造に特に適したポリフタルアミド(PPA)「ウルトラミド(Ultramid)・アドバンストN3U41 G6」を開発したと発表した。
ウルトラミドは、電気自動車(EV)、高速列車、スマート製造、再
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