ウィービットナノ、最新デモチップが製造段階に
次世代半導体メモリー技術を手がけるイスラエルのウィービットナノ(Weebit Nano)は、22ナノメートルの先進完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター(FD-SOI)に抵抗変化型メモリー(ReRAM)モジュールを組み込んだデモチップが、製造前のテープアウト(最終設計段階)に入ったと発表した。
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