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次世代半導体メモリー技術を手がけるイスラエルのウィービットナノ（Weebit Nano）は、22ナノメートルの先進完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター（ＦＤ－ＳＯＩ）に抵抗変化型メモリー（ＲｅＲＡＭ）モジュールを組み込んだデモチップが、製造前のテープアウト（最終設計段階）に入ったと発表した。