英IQEと独X-FAB、GaNデバイスで協業
英国の半導体メーカー、IQEは、ドイツの同業エックスファブ(X-FAB)・シリコン・ファウンドリーズと、欧州を拠点とする窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスの技術プラットフォームの構築に向けた共同開発契約(JDA)を締結したと発表した。
最初の2年間は、650ボルトのGaNデバイスの開発で協力する方
半導体
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