インフィニオン、ＳｉＣトランジスタを改良
ドイツの半導体大手インフィニオンテクノロジーズは、次世代の炭化ケイ素（ＳｉＣ）金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）トレンチ技術「CoolSiC MOSFETジェネレーション２（Ｇ２）」を導入したと発表した。
これは電力システムやエネルギー変換の改善につながるもので、650ボルトと1,
半導体
-
エヌビディア、上海でＲ＆Ｄ拠点を新設へ
2025/05/20（火）
-
小米科技、先進モバイルチップを近く投入
アジア・オセアニア 半導体2025/05/19（月）
-
ウエハーの台湾・環球晶円、米に40億ドル追加投資
北米 半導体2025/05/19（月）
-
ウルフスピード債権者、６億ドルの融資提示
北米 半導体2025/05/15（木）
-
インフィニオン、ビステオンと駆動装置開発
欧州 半導体2025/05/13（火）
