ＯＮセミコン、新たなハイブリッドＩＧＢＴ公開
半導体部品を手掛ける米ＯＮセミコンダクターは、ドイツ南部のニュルンベルクで７〜９日に開催されたパワーエレクトロニクスの国際専門見本市「ＰＣＩＭヨーロッパ2019」で、ＳｉＣ（炭化ケイ素）ベースの新たなハイブリッド絶縁ゲート型バイポーラトランジスター（ＩＧＢＴ）を公開した。
新ＩＧＢＴ「AFGHL50
ＩＴ
-
ＧＭ、「アイズオフ」機能を28年に導入へ
2025/10/24（金）
-
いすゞ、自動運転ＥＶバスを平塚で実証実験
アジア・オセアニア ＩＴ2025/10/24（金）
-
アプティブ、第８世代レーダーを開発
欧州 ＩＴ2025/10/23（木）
-
自動運転新興・新石器、５億ドルの私募増資か
アジア・オセアニア ＩＴ2025/10/23（木）
-
米当局、ウェイモ車を調査＝交通規則違反か
北米 ＩＴ2025/10/22（水）
