ＯＮセミコン、新たなハイブリッドＩＧＢＴ公開
半導体部品を手掛ける米ＯＮセミコンダクターは、ドイツ南部のニュルンベルクで７〜９日に開催されたパワーエレクトロニクスの国際専門見本市「ＰＣＩＭヨーロッパ2019」で、ＳｉＣ（炭化ケイ素）ベースの新たなハイブリッド絶縁ゲート型バイポーラトランジスター（ＩＧＢＴ）を公開した。
新ＩＧＢＴ「AFGHL50
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