インフィニオン、新世代のIGBTなど開発
ドイツの半導体大手インフィニオンテクノロジーズは、電気自動車(EV)向けの強力かつエネルギー効率の高い、新世代の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)デバイスと、逆導通IGBT(RC-IGBT)デバイスを開発したと発表した。
うち「EDT3」(第3世代電動ドライブトレインの略)チップは、40
半導体
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