インフィニオン、新世代のＩＧＢＴなど開発
ドイツの半導体大手インフィニオンテクノロジーズは、電気自動車（ＥＶ）向けの強力かつエネルギー効率の高い、新世代の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）デバイスと、逆導通ＩＧＢＴ（ＲＣ－ＩＧＢＴ）デバイスを開発したと発表した。
うち「ＥＤＴ３」（第３世代電動ドライブトレインの略）チップは、40
半導体
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