英ＩＱＥと独X-FAB、ＧａＮデバイスで協業
英国の半導体メーカー、ＩＱＥは、ドイツの同業エックスファブ（X-FAB）・シリコン・ファウンドリーズと、欧州を拠点とする窒化ガリウム（ＧａＮ）パワーデバイスの技術プラットフォームの構築に向けた共同開発契約（ＪＤＡ）を締結したと発表した。
最初の２年間は、650ボルトのＧａＮデバイスの開発で協力する方
半導体
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