英ＩＱＥと独X-FAB、ＧａＮデバイスで協業
英国の半導体メーカー、ＩＱＥは、ドイツの同業エックスファブ（X-FAB）・シリコン・ファウンドリーズと、欧州を拠点とする窒化ガリウム（ＧａＮ）パワーデバイスの技術プラットフォームの構築に向けた共同開発契約（ＪＤＡ）を締結したと発表した。
最初の２年間は、650ボルトのＧａＮデバイスの開発で協力する方
半導体
-
エレクトロビット、鴻海とＥＶ技術共同開発
2025/07/01（火）
-
米シングン、エヌビディアと倉庫物流ＡＩ開発
北米 ＩＴ2025/06/30（月）
-
一汽トヨタの「bZ5」、ロームのインバーター採用
アジア・オセアニア 半導体2025/06/25（水）
-
コンチネンタル自動車部門、半導体ユニット設立
欧州 半導体2025/06/25（水）
-
半導体ウルフスピードが破産＝負債の７割免責
北米 半導体2025/06/24（火）
