ＢＡＳＦ、ＩＧＢＴ半導体向けＰＰＡ開発
ドイツの化学大手ＢＡＳＦは10月14日、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）半導体のハウジングの製造に特に適したポリフタルアミド（ＰＰＡ）「ウルトラミド（Ultramid）・アドバンストN3U41 G6」を開発したと発表した。
ウルトラミドは、電気自動車（ＥＶ）、高速列車、スマート製造、再
素材・技術
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