ＩＢＭとサムスン、垂直構造の半導体を開発
米国のコンピューター大手ＩＢＭと韓国のサムスン電子は12月14日、垂直トランジスタ構造を用いた画期的な半導体設計を共同開発したと発表した。
従来のナノシート設計はトランジスタをシリコンの平面上に並べ、電流が左右に流れる。新開発の「VTFET」設計は対照的に、積層構造を採用し電流を垂直に流す仕組み。こ
センサー、レーダー、カメラ
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