ONセミコン、新たなハイブリッドIGBT公開
半導体部品を手掛ける米ONセミコンダクターは、ドイツ南部のニュルンベルクで7〜9日に開催されたパワーエレクトロニクスの国際専門見本市「PCIMヨーロッパ2019」で、SiC(炭化ケイ素)ベースの新たなハイブリッド絶縁ゲート型バイポーラトランジスター(IGBT)を公開した。
新IGBT「AFGHL50
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